中芯国际作为中国大陆地区排名第一大本土晶圆代工厂商，业界人士一向是关注中芯在推进研发制程工艺的进展。而就在上个月，供应链传出消息，中芯正在加速推进的14nm FinFET工艺，已经接近研发完成的阶段，试产时的良率也已达到了95%的水平。所以，中芯的14nm工艺在2019年时开始正式投入量产应该不成问题。

晶圆最终的良率，则是由每一步工艺的良率累计相乘后的结果。从晶圆制造、中测、封装到成测，每一步都会对良率产生影响。这当中，晶圆制造因为工艺本就复杂，工艺步骤达300步左右，是影响良率的、主要的因素。换言之，晶圆的良率越高，同一片晶圆产出好的芯片就会随之增多，每颗芯片的成本就会更低，这对厂商而言显然是有利的。

美国加州大学洛杉矶分校的材料科学与工程系教授谢亚宏在接受媒体的采访时曾说：“芯片技术，难点在什么地方？它需要整个公司，好比说我是一个公司来做芯片的话，我需要公司里面上下一心，大家都在一心地贡献来做这个东西，才有可能把它做得好。硅送进叫做芯片的生产线，一般的时候它经历今天的技术大概两千多步；这个步，就是每一步你做一个，好比说我曝一个光，我腐蚀一下，我沉积一下，这每一个都是一步。其实每一个都是好多步，因为你在沉积之前，你还得清理、清洗表面，然后你还得做这个做那个。就是每一个都是一步，这每一步坏的比率不能超过0.000001%。因为什么呢？因为每一步都在原有的基础上制造，你要两千多步，每一步就是99%的成功率的话，你把99%乘以99%乘以99%……乘两千遍，你就看到，基本上你出的成品率，就低到没法再低了。低过80%、90%，你就基本上要亏钱的。”

 

目前，中芯最先进的制程技术仍是28nm工艺，与台积电、三星、格罗方德、英特尔等厂商相比明显落后一大截。中芯为了在技术上加速追赶领先的同行，便在 2017年底延揽前台积电研发大将梁孟松担任联席首席CEO，并希望由梁孟松指导中芯推进研发14nm FinFET制程工艺。正因如此，中芯的14nm工艺得以很有希望在2019年正式量产。上个月，有对中芯有所了解的人在网络上留言：“中芯现在14nm生产线厂房都没封顶，根本不可能那么快推进14nm工艺，厂房估计今年7、8月就能完成封顶，然后是动力设施和无尘车间建设要半年，这就到2019年2月了，然后开始搬入机台，大概会在2019年6、7月完成试产线机台的搬入，8月份左右会开始试产，不过估计良率会低于30%，经过半年在2020年初估计良率会在60%左右。这已经是因为梁孟松这位大牛的加入在飞奔了，不然起码还得往后延长一年。”

 

而就在今天，中芯公布了今年第二季度的业绩数据，中芯两位首席执行官赵海军、梁孟松在场评论说：“中芯处于蓄势过渡时期。在推进技术、建立平台和构筑合作关系上，我们看见令人鼓舞的初步进展。同时，我们向今年高个位数的收入成长目标迈进。随着需求和产能利用率在二季度回升，不包含技术授权收入的中国区收入环比和同比成长了14%和38%。作为中国首选晶圆代工伙伴，我们相信必将受惠于中国芯片市场的成长机遇。我们欣喜地告诉大家，在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28纳米PolySiON和HKC，我们28纳米HKC+技术开发也已完成。28纳米HKC持续上量，良率达到业界水平。我们将继续扩展和提升我们的成熟和先进技术平台，提供客户全面有竞争力的服务。”