今天一个小伙伴评论留言问我，怎么才能给女盆友讲清楚内存和存储？小编现在就把这部分整理出来，看能不能帮到他以及有类似需求的人。不过小编也想问一句，这样教女盆友学习先进科学技术知识，乱撒狗粮好吗？尤其是对科学技术知识有兴趣的女盆友，请问哪里有卖？

RAM+ROM别搞错

先从最基本的说起，RAM是内存，ROM是存储空间，这两者可不要混淆。手机也好电脑也罢，目前都是几乎一致的结构，内存+存储。前者是交换计算数据使用，后者是存储数据使用。

说完了作用，说技术，内存无论是DDR3/L、DDR4、LPDDR，甚至是显卡用的显存GDDR，统称都叫“易失性存储”，讲白一点就是断电就不能保存东西了。但是它的优点是速度奇快，远不是任何类型存储在速度上可以媲美的。

而存储，无论是固态硬盘还是手机存储芯片，统称都叫做“非易失性存储”，相对于内存的“易失性存储”更容易理解了，断电后它们还能够保存内容，这样可以达到存储的功能。

当然世事无绝对，Intel现在推出的傲腾，就打破了两者的界限——拥有内存的速度和存储可以保存内容的特点，不过价格相对也不便宜，不知道以后这个东东能不能改变现在RAM+ROM的构架。

内存究竟是个啥？

DDR3/L、DDR4、LPDDR和GDDR，都是随机存储器（既内存），作用就是交换数据，无论是电脑还是手机，在处理大量运算数据的时候，需要一个容器去暂存待计算/已计算的内容，然后交给其他部分转化计算成果。

电脑上的DDR3/L，前者是标准电压产品，后者DDR3L是低电压产品；DDR4则只有一种，原因也很简单，从设计上就考虑到低电压这一点要求了，所以不像DDR3时代还要区分。

LPDDR目前主要是LPDDR3、4，简单说他们就是移动平台上的DDR3/4内存，不同的是LP的意义代表低功耗双倍数据速率内存，能够在带来等效的性能(速度)的同时，兼顾更少的能源消耗。

还有一个要说的就是GDDR，他们也是由内存衍生出来的，那个G的意思是Graphics，就是图形用DDR内存。

闪存怎么那么乱？

其实闪存一点都不乱，简单说目前的闪存类型存储比如固态硬盘啊、手机存储啊，都可以统称为NAND Flash。NAND Flash具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。

NAND Flash目前常见的分成MLC颗粒和TLC颗粒，意思是两种不同技术实现的闪存芯片，后者胜在价格更低，但擦写次数要少一些，前者擦写次数更多但是生产成本略高。无论是EMMC还是UFS，都有可能采用TLC或者MLC的颗粒，准确说NAND Flash是UFS或EMMC的一个组成部分。

EMMC

EMMC的全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。，eMMC是在NAND Flash芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装成 一颗BGA芯片。EMMC的速度取决于总线接口。目前， EMMC的总线接口主要以eMMC 4.4、eMMC4.5、eMMC 5.0、eMMC 5.1为主，它们的“理论带宽”分别为 104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s。

UFS

UFS的全称是Universal Flash Storage，也就是通用闪存存储，UFS其实就是为了取代EMMC才推出的。其中UFS 2.0 HS-G2的理论带宽为5.8Gbps，也就是大约740 MB/s，更快速的UFS 2.0 HS-G3的理论带宽更是达到了11.6Gbps，也就是约1.5GB/s。但是，这只是理论速度，要想实现这么快的速度，也要看闪存技术的发展。另外，UFS 2.0在改用串行总线后，不再使用 eMMC的半双工方式，而是改用了全双工方式，收发数据可以同时进行。

具体的小编曾经推送过一篇《什么情况？华为旗舰P10遭遇“闪存门”！》详解UFS和EMMC的差别，这里就不再多说了。